当前位置:首页 > 院士队伍 > 院士名单
梁骏吾
 

    梁骏吾(1933.9.18- )半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面, 将我国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。

 

    1997年当选为中国工程院院士。

地址:北京市西城区冰窖口胡同2号 邮政信箱:北京8068信箱 邮编:100088 工程院位置图
电话:8610-59300000 传真:8610-59300001 邮箱:bgt@cae.cn
Copyright © 2008-2017 中国工程院 ICP备案号:京ICP备14021735号-3