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高鼎三
 

    高鼎三(1914.07.24-2002.06.13)半导体与光电子学专家。上海市人。1941年毕业于西南联合大学,1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位。我国半导体事业开拓者之一。在国内首先研制成大功率整流器、点接触二极管、三极管、光电二极管,较早研制成功GaAs激光器,500A、2500V大功率晶闸管。获全国科学大会奖,国家发明奖三等奖两项、四等奖1项,电子工业部科技奖进步一等奖1项,国家教委科技进步奖二等奖1项。在1986年国务院召开的“863”计划专家座谈会上,积极建议把光电子技术列为高技术的独立项目。并承担了“863”计划中“可见光激光器”的结构设计及工艺研究和“半导体激光器热传输特性”等研究项目,取得很大成绩。出版专译著2部,发表独立或合作论文100余篇。培养硕士、博士生、博士后50余名。

 

    1995年当选为工程院院士。

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